不揮発性半導体記憶素子および製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：角田衛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002213900
Publication number (International publication number)：2004055969
Application date： Jul. 23, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】データの書込みや消去時間を短縮でき、同時に書き換え回数を大幅に増加させることができ、また低い消費電力で動作させることができる不揮発性半導体記憶素子を得る。【解決手段】トンネル絶縁膜2に隣接して形成され電荷保持層3が、浮遊ゲートとして機能する粒子径5nm以下の一種以上の単元素物質または化合物からなる、超微粒子3aを電荷保持層3の平方センチメートル当たり10+12〜10+14個の面密度で独立分散して含有する、電気絶縁性の絶縁層3bから成る不揮発性半導体記憶素子とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース領域およびドレイン領域を有する半導体基板表面に前記ソース領域および前記ドレイン領域を繋げるように、チャネル形成領域に接してトンネル絶縁膜が形成され、トンネル絶縁膜に隣接して電荷保持層が形成され、電荷保持層に隣接してゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜に隣接して制御ゲートが形成された不揮発性半導体記憶素子において、前記電荷保持層が、浮遊ゲートとして機能する粒子径5nm以下の一種以上の単元素物質または化合物からなる超微粒子を、不揮発性半導体記憶素子当たり1個含有するかまたは前記電荷保持層の平方センチメートル当たり10+12〜10+14個の密度で独立分散して複数個含有する絶縁層から成ることを特徴とする不揮発性半導体記憶素子。

IPC (4)：

H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (2)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

F-Term (27)：

4K029AA06 , 4K029BA06 , 4K029BA46 , 4K029BA64 , 4K029BB01 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC15 , 5F083EP17 , 5F083EP23 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083FZ01 , 5F083HA02 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083PR12 , 5F083PR22 , 5F101BA47 , 5F101BA54 , 5F101BB05 , 5F101BD07 , 5F101BD30 , 5F101BF02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

量子構造体を用いた半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-248558 Applicant：広島大学長
半導体記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-287137 Applicant：株式会社東芝
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-167391 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Proceedings of 1995 International Electron Devices Meeting, 19951210, p.521-524
IEEE Transactions on Electron Devices, 200104, Vol.48, No.4, p.696-700

Return to Previous Page