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J-GLOBAL ID：200903065132788707

レジストパターンの微細化方法

Inventor： 菅田 祥樹 ,  金子 文武 ,  立川 俊和
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001302552
Publication number (International publication number)：2003107752
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】 基板表面に形成したホトレジストパターン上に水溶性樹脂被覆を設けたのち、これを熱処理してホトレジストパターン間隔を収縮させる方法において、収縮処理後の水溶性樹脂被覆の除去に際し、溶解残留分の発生を防止し、良好なプロファイル及び満足すべき要求特性を備えた微細化パターンを得ることを目的とする。【解決手段】 基板表面に形成したホトレジストパターン上に水溶性樹脂被覆を設けたのち、熱処理することによりホトレジストパターン間隔を収縮させ、次いで前記水溶性樹脂を完全に除去してレジストパターンを微細化するに当り、前記水溶性樹脂被覆中に水溶性ポリマー及び水溶性アミンを含有させる。

Claim (excerpt)：

基板表面に形成したホトレジストパターン上に水溶性樹脂被覆を設けたのち、熱処理することによりホトレジストパターン間隔を収縮させ、次いで前記水溶性樹脂を完全に除去してレジストパターンを微細化するに当り、前記水溶性樹脂被覆中に水溶性ポリマー及び水溶性アミンを含有させることを特徴とするレジストパターン微細化方法。

IPC (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 570

F-Term (4)：

2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-062047   Applicant：三菱電機株式会社
• レジストパターン微細化材料及びこの材料を用いた半導体装置の製造方法並びにこの製造方法を用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-002361   Applicant：三菱電機株式会社
• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080940   Applicant：三菱電機株式会社
• パタン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-192151   Applicant：株式会社日立製作所