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J-GLOBAL ID：200903065255615998

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
中川 政俊

About 中川 政俊

, 
花戸 宏之

About 花戸 宏之

, 
田村 壽宏

About 田村 壽宏


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004371789
Publication number (International publication number)：2006179703
Application date： Dec. 22, 2004
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：
【課題】有機TFTにおいて、ゲート絶縁膜上に形成する有機薄膜のキャリア移動特性を向上することを課題とする。【解決手段】基体上の有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極と、前記有機薄膜とゲート絶縁膜との間に、有機シラン化合物から形成されキャリア輸送機能を有する単分子膜からなるアンカー膜とを備えたことを特徴とする有機TFTにより上記課題を解決する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
有機薄膜と、該有機薄膜の一表面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極の両側であって、前記有機薄膜の一表面又は他表面に接触して形成されたソース/ドレイン電極と、前記有機薄膜とゲート絶縁膜との間に、有機シラン化合物から形成されキャリア輸送機能を有する単分子膜からなるアンカー膜とを備えたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05
FI (3)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618E
F-Term (43)：
5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 有機薄膜トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-240449   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
Cited by examiner (3)

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