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J-GLOBAL ID：200903065571300591

SiC単結晶の製造方法

Inventor：
新谷 良智

About 新谷 良智


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (4)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008126039
Publication number (International publication number)：2009274894
Application date： May. 13, 2008
Publication date： Nov. 26, 2009
Summary：
【課題】溶液法により結晶性の高いSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Si、C、CrおよびNiを含むSi-Cr-Ni-C融液またはSi-Cr-C融液により、種結晶の成長面をSi面としてSiC結晶を成長させる。融液中のNiとCrとの割合(原子比)(Ni/Cr)は0.2以下である。また、融液にSi、Cr、NiおよびC以外の元素であって希土類元素、遷移金属元素およびアルカリ土類金属元素のうちから選ばれるいずれか1種の元素を含んでおり、好ましくはCeである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
Si、C、CrおよびNiを含むSi-Cr-Ni-C融液により、種結晶の成長面をSi面としてSiC結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
F-Term (12)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EC08 ,  4G077ED02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA79
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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