有機トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008115741
Publication number (International publication number)：2009267132
Application date： Apr. 25, 2008
Publication date： Nov. 12, 2009
Summary：

【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。(式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、R2は直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは直鎖、分岐または環状のアルコキシアルコキシ基を表す)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/40

FI (5)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J

F-Term (62)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB20 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK16 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-295074 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-277269 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-328437 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社

Cited by examiner (3)

有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-328437 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-295074 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-277269 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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