Pat
J-GLOBAL ID：200903014887617909

新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイス

Inventor：
瀧宮 和男

About 瀧宮 和男

, 
功刀 義人

About 功刀 義人

, 
大坪 徹夫

About 大坪 徹夫


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (1)： 本多 一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004277269
Publication number (International publication number)：2006089413
Application date： Sep. 24, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：
【課題】 有機半導体材料に求められている高い電界効果移動度と、高いオン/オフ電流比の双方を満足し、かつ材料系に優れ、合成が容易である新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイスを提供する。【解決手段】 次の一般式(1)、Ar2-Ar1-Ar3 (1)(式中、Ar1は下記構造式、で表され、ここで、Y1、Y2、Y3はそれぞれ独立にカルコゲン原子、nは1〜3の整数であり、Ar2、Ar3はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18のアルキルオキシ基、炭素数1〜18のアルキルチオ基およびアリール基からなる群から選択される少なくとも1種の置換基を有していてもよいアリール基である)で表されることを特徴とする有機半導体化合物である。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
次の一般式(1)、 Ar2-Ar1-Ar3 (1) (式中、Ar1は下記構造式、
IPC (6)：
C07D 495/04 ,  C07D 495/06 ,  C07D 495/14 ,  C07D 517/04 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05
FI (6)：
C07D495/04 101 ,  C07D495/06 ,  C07D495/14 A ,  C07D517/04 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28
F-Term (26)：
4C071AA01 ,  4C071AA02 ,  4C071AA08 ,  4C071BB01 ,  4C071BB02 ,  4C071CC02 ,  4C071CC03 ,  4C071EE12 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071JJ01 ,  4C071LL05 ,  4C071LL10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)
  • チエノチオフェン誘導体
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-199413   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
  • 反応性チエノチオフェン
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-200358   Applicant：メルクパテントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフトング
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM