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J-GLOBAL ID：200903065682303484

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
渡部 浩司

About 渡部 浩司


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001142104
Publication number (International publication number)：2002343858
Application date： May. 11, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：
【要約】【課題】応力の異なる絶縁膜が積層されることに起因する絶縁膜の剥離を防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に積層された複数の配線層6、14と、配線層の層間に形成された層間絶縁膜とを有する半導体装置であって、層間絶縁膜は無機系絶縁膜と有機系絶縁膜2、10とを含む積層膜であり、無機系絶縁膜は酸化シリコン層7と、窒化シリコン層8と、それらの層間に形成された酸化窒化シリコン層9とを含む積層膜であり、好適には、酸化窒化シリコン層9は酸化シリコン層7に近い側で窒化シリコン層8に近い側よりも酸素/窒素比が高くなっている半導体装置、およびその製造方法。
Claim (excerpt)：
基板上に積層された複数の配線層と、前記配線層の層間に形成された少なくとも一つの層間絶縁膜とを有する半導体装置であって、前記層間絶縁膜の少なくとも一つは、無機系絶縁膜と有機系絶縁膜とを含む積層膜であり、前記無機系絶縁膜は、酸化シリコン層と、窒化シリコン層と、前記酸化シリコン層と前記窒化シリコン層との層間に形成された酸化窒化シリコン層とを含む積層膜である半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/316
FI (3)：
C23C 16/42 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 M
F-Term (61)：
4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA08 ,  4K030LA02 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR20 ,  5F033RR21 ,  5F033RR24 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058BA10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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