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J-GLOBAL ID：200903065703916228

半導体素子およびその製造方法

Inventor： 太田 潔 ,  林 伸彦
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999342915
Publication number (International publication number)：2000252230
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 剥離が生じにくく窒化物系半導体上に簡単な工程で形成可能な安定なオーミック電極を備えた半導体素子を提供することである。【解決手段】 サファイア基板1上にアンドープのGaNバッファ層2、n型GaN層3およびp型GaN層4を順に形成し、p型GaN層4からn型GaN層3までの一部領域を除去し、n型GaN層3を露出させる。p型GaN層4上およびn型GaN層3の露出した上面にTi膜5およびPt膜6を順に形成する。それにより、熱処理による合金化を行うことなくp型GaN層4にオーミック接触するp電極7およびn型GaN層3にオーミック接触するn電極8が形成される。

Claim (excerpt)：

p型窒化物系半導体と、前記p型窒化物系半導体上に形成されたオーミック電極とを備え、前記オーミック電極は、前記p型窒化物系半導体上に密着して形成され、チタンからなる厚さ3Å以上150Å以下の第1の金属膜と、前記第1の金属膜上に密着して形成され、白金またはパラジウムからなる第2の金属膜とを含むことを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (4)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• オーミック電極およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-213117   Applicant：ソニー株式会社
• 3族窒化物半導体の電極及びその電極を有した素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-178555   Applicant：豊田合成株式会社
• II-VI族化合物半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-053589   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-073233   Applicant：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社