化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996195615
Publication number (International publication number)：1997090639
Application date： Jul. 05, 1996
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性に優れた微細加工技術に適した高解像性を有し、実用性の高い化学増幅ポジ型レジスト材料を得る。【解決手段】下記一般式(1)で示される部分的に水酸基が保護されたポリヒドロキシスチレンから選ばれる分子量の異なる2種以上のポリマーを含み、かつ、高分子量のポリマーの分子量分布(Mw/Mn)が1.5以下であり、それより低分子量のポリマー全体の分子量分布が5.0以下であると共に、高分子量のポリマーの重量平均分子量(Mw1)とそれより低分子量のポリマー全体の重量平均分子量(Mw2)との比(Mw1/Mw2)が1.5以上であることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは酸不安定基であり、p、qはそれぞれp/(p+q)が0.05以上となる数である。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される部分的に水酸基が保護されたポリヒドロキシスチレンから選ばれる分子量の異なる2種以上のポリマーを含み、かつ、高分子量のポリマーの分子量分布(Mw/Mn)が1.5以下であり、それより低分子量のポリマー全体の分子量分布が5.0以下であると共に、高分子量のポリマーの重量平均分子量(Mw1)とそれより低分子量のポリマー全体の重量平均分子量(Mw2)との比(Mw1/Mw2)が1.5以上であることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは酸不安定基であり、p、qはそれぞれp/(p+q)が0.05以上となる数である。)

IPC (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-331723 Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
感光性組成物、及びこれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-354206 Applicant：株式会社東芝
レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-115306 Applicant：信越化学工業株式会社

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