化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小島隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994331723
Publication number (International publication number)：1996160622
Application date： Dec. 09, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【構成】下記一般式(1)で示される部分的に水酸基が保護されたポリヒドロキシスチレンを溶解促進剤として含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは、酸不安定基を示し、p/(p+q)は0.1以下で、重量平均分子量は10,000未満である。) 【効果】本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、例えば遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性に優れた微細加工技術に適した高解像性を有するもので、実用性の高いものである。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される部分的に水酸基が保護されたポリヒドロキシスチレンを溶解促進剤として含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、Rは、加水分解性基を示し、p/(p+q)は0.1以下で、重量平均分子量は10,000未満である。)

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , C08F212/14 MJY , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平4-217251
特開平4-134345
レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-097140 Applicant：日本ゼオン株式会社