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J-GLOBAL ID：200903065883450817

半導体単結晶の製造方法

Inventor：
佐藤 賢次

About 佐藤 賢次

, 
佐々木 伸一

About 佐々木 伸一

, 
中村 正志

About 中村 正志


Applicant, Patent owner：
株式会社日鉱マテリアルズ

About 株式会社日鉱マテリアルズ


Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003065913
Publication number (International publication number)：2004273964
Application date： Mar. 12, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：
【課題】半導体単結晶の成長工程において半導体単結晶層に割れや反りが生じるのを有効に防止することができる半導体単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】半導体単結晶の製造方法において、基板の裏面側に所定の間隔で溝を形成し、該基板表面に半導体単結晶を成長させ、GaN系化合物半導体の成長後或いは成長途中に、基板の裏面側に該基板を分解するガス(例えば水素ガス)を供給しつつ熱処理を施し、エッチングにより前記基板が変質され、分割されるようにした。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板の裏面側に所定の間隔で溝を形成し、 該基板表面に該基板と熱膨張係数が異なる半導体単結晶を成長させることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。
IPC (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38
FI (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 D
F-Term (39)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077BE46 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA25 ,  4K030BA38 ,  4K030CA01 ,  4K030CA04 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA14 ,  5F045AA02 ,  5F045AB10 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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