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J-GLOBAL ID：200903065917359156

半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法並びに結晶成長方法

Inventor： 大塚 信之 ,  辻村 歩 ,  石橋 明彦 ,  川口 靖利
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001307452
Publication number (International publication number)：2003112999
Application date： Oct. 03, 2001
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】【課題】 基板主面の平坦性が向上した、特に六方柱状晶(コラム)を含まないウルツァイト型基板を形成できるようにする。【解決手段】 ウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板は、面方位が(0001)面から晶帯軸の<10-10>方向に約45°〜約65°傾いた主面を有している。これにより、従来のように(0001)面を主面とするウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板上に半導体結晶を成長した場合のような六方柱状晶を含むことがない。

Claim (excerpt)：

ウルツ鉱型の結晶構造を持つ半導体基板であって、面方位が(0001)面から晶帯軸の<10-10>方向に約45°〜約65°傾いた主面を有していることを特徴とする半導体基板。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205

F-Term (21)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE12 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CF10 ,  4G077ED05 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA61 ,  5F045HA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• III-V族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-176098   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-253784   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体基板および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145199   Applicant：ソニー株式会社
• 単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-043862   Applicant：京セラ株式会社
• ホウ化物結晶とこれを用いた半導体層形成用基板並びにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-155580   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 京セラ株式会社