深さ方向元素濃度分布評価法および界面位置決定法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：服部毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002374352
Publication number (International publication number)：2004205329
Application date： Dec. 25, 2002
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【課題】積層構造試料の界面領域について適正な評価を行う。【解決手段】SiO2/Si界面を有する試料のSiO2膜側から一次イオンO2+を照射して二次イオンを検出し、その試料の深さプロファイルを取得する際(ステップS1〜S3)、二次イオンとしてSi2N+を検出する。これにより、トランジェント領域を十分に短くし、試料表面の汚染物の影響を抑制することが可能になる。また、SiO2/Si界面に窒素を存在させた既知試料の深さプロファイルにおいて窒素を含まない二次イオンSi+,SiO+の検出強度に基づき(ステップS4,S5)、SiO2膜中およびSiO2/Si界面に窒素が存在する未知試料のSi+,SiO+の検出強度を用いて界面の位置を決定する(ステップS6〜S8)。これにより、未知試料内の窒素濃度分布に依らずその界面位置を決定できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の層と第2の層とが積層された試料にイオンビームを照射して前記試料から放出されるイオン種を検出し、前記第1の層内部および前記第1の層と前記第2の層との界面における元素濃度分布を評価する深さ方向元素濃度分布評価法において、前記第1の層を構成している元素Aと前記元素A以外の前記第1の層および第2の層に含まれる元素MとによってAnM+(nは2以上の整数)で表される組成の分子イオンを検出して元素濃度分布を評価することを特徴とする深さ方向元素濃度分布評価法。

IPC (2)：

G01N23/225 , H01L21/66

FI (2)：

G01N23/225 , H01L21/66 N

F-Term (18)：

2G001AA05 , 2G001BA06 , 2G001CA05 , 2G001FA02 , 2G001GA08 , 2G001GA09 , 2G001GA13 , 2G001KA01 , 2G001KA20 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001NA03 , 4M106AA01 , 4M106AA12 , 4M106BA03 , 4M106CB02 , 4M106CB30 , 4M106DH60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特許第2870842号
多機能表面分析装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-098236 Applicant：株式会社日立製作所, 日立計測エンジニアリング株式会社
特許第2870842号

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