深さ方向元素分布測定法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平戸哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001120426
Publication number (International publication number)：2002310961
Application date： Apr. 19, 2001
Publication date： Oct. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】イオンビーム照射によるスパッタエッチングを利用して固体中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する深さ方向元素分布測定法に関し、固体中に含まれる元素の深さ方向分布を高精度に測定することができるようにする。【解決手段】Si層に含まれる不純物の深さ方向分布を測定する場合において、Csイオンビームを使用する場合、その入射角度として、加速エネルギーが0.25KeV以下の場合には、Si層表面の法線方向に対して50度以下の角度を選択し、加速エネルギーが0.25KeVを越え、0.5KeV以下の場合には、Si層表面の法線方向に対して55度以下の角度を選択し、加速エネルギーが0.5KeVを越え、1.0KeV以下の場合には、Si層表面の法線方向に対して60度以下の角度を選択する。

Claim (excerpt)：

イオンビーム照射によるスパッタエッチングを利用して固体中に含まれる元素の深さ方向分布を測定する深さ方向元素分布測定法であって、前記イオンビームの前記固体表面に対する入射角度を前記イオンビームの加速エネルギーに応じて選択することにより前記固体の表面荒れを抑制することを特徴とする深さ方向元素分布測定法。

IPC (3)：

G01N 23/225 , H01L 21/3065 , H01L 21/66

FI (3)：

G01N 23/225 , H01L 21/66 N , H01L 21/302 D

F-Term (23)：

2G001AA05 , 2G001AA09 , 2G001BA06 , 2G001CA05 , 2G001EA04 , 2G001GA01 , 2G001GA02 , 2G001GA08 , 2G001GA13 , 2G001KA01 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106BA03 , 4M106CB02 , 4M106DH55 , 4M106DH60 , 5F004BA17 , 5F004CB04 , 5F004DB01 , 5F004EA39 , 5F004EB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

乱数を用いて統計的に計算する方法及びそれを用いた濃度分布の測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-188608 Applicant：株式会社エヌイーシー情報システムズ, 日本電気株式会社
薄膜太陽電池の評価方法および薄膜太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-203814 Applicant：松下電池工業株式会社
深さ方向組成分布分析方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-049695 Applicant：日本電気株式会社