磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：須山佐一 , 川原行雄 , 山下聡 , 須山英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005285240
Publication number (International publication number)：2007096105
Application date： Sep. 29, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：

【課題】スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。【解決手段】磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層、または磁化自由層内にZr,Nb,Mo,Ru,Rh,Pd,Ag,La,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Auのいずれかを含む層を配置する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化方向が実質的に一方向に固着される磁化固着層と、前記磁化固着層上に配置され、絶縁層と、この絶縁層の層方向に電流を通過させる導電体と、を有する非磁性層と、前記非磁性層上に配置され、かつ磁化方向が外部磁界によって変化する磁化自由層と、前記磁化固着層、または前記磁化自由層の少なくとも一方に配置され、Zr,Nb,Mo,Ru,Rh,Pd,Ag,La,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,Auのいずれかを含み、かつ厚さが0.1nm以上、1nm以下の所定の層と、を具備することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (9)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11B 5/39 , H01F 10/32 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , G01R 33/09 , H01L 43/10

FI (9)：

H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , G11B5/39 , H01F10/32 , H01F10/16 , H01F10/30 , G01R33/06 R , H01L43/10

F-Term (20)：

2G017AA01 , 2G017AB07 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 5D034BA04 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5D034CA04 , 5D034CA08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA06 , 5E049BA25 , 5E049DB11 , 5E049DB12 , 5F083FZ10 , 5F083GA12 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-322041 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (6)

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-322041 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-263251 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-344030 Applicant：株式会社東芝

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