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J-GLOBAL ID：200903066091732773

水素ガス分離材の製造方法

Inventor：
吉野 泰

About 吉野 泰


Applicant, Patent owner：
株式会社ノリタケカンパニーリミテド

About 株式会社ノリタケカンパニーリミテド


Agent (3)： 安部 誠 ,  手島 勝 ,  大井 道子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008046653
Publication number (International publication number)：2009202096
Application date： Feb. 27, 2008
Publication date： Sep. 10, 2009
Summary：
【課題】対向拡散CVDにより形成されるシリカ膜を備えた水素ガス分離材の製造方法であって、製膜時間を短縮しても、好ましくは製膜面積を拡大しても、良好な性能を有したシリカ膜を安定して形成することができる水素ガス分離材製造方法を提供すること。【解決手段】多孔質基材12とシリカ膜21とを備える水素ガス分離材1を製造する方法が提供される。その方法は、多孔質基材12を用意する工程と、前記基材12の一方の面側12aに供給される気化したシリカ源2aと、該基材12の他方の面側12bに供給される酸素含有ガス3とを反応させる化学蒸着法によって、該基材12にシリカ膜21を形成する工程及び、前記シリカ膜21が形成された基材12の一方及び/又は他方の面側12a,12bに酸素含有ガス3を供給し、上記シリカ膜21を安定化させる膜安定化工程を包含する。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
多孔質基材とシリカ膜とを備える水素ガス分離材を製造する方法であって: 前記多孔質基材を用意する工程; 前記基材の一方の面側にシリカ源含有ガスとしてキャリアガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材の他方の面側に供給される酸素含有ガスとを反応させる化学蒸着法によって、該基材にシリカ膜を形成する工程;及び、 前記シリカ膜が形成された基材の一方及び/又は他方の面側に酸素含有ガスを供給し、上記シリカ膜を安定化させる膜安定化工程; を包含する、水素ガス分離材の製造方法。
IPC (5)：
B01D 71/02 ,  B01D 69/12 ,  C01B 3/56 ,  C23C 16/56 ,  C04B 41/87
FI (5)：
B01D71/02 500 ,  B01D69/12 ,  C01B3/56 Z ,  C23C16/56 ,  C04B41/87 G
F-Term (33)：
4D006GA41 ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MA04 ,  4D006MA09 ,  4D006MA22 ,  4D006MA26 ,  4D006MB04 ,  4D006MB15 ,  4D006MB19 ,  4D006MC03X ,  4D006NA50 ,  4D006NA54 ,  4D006NA63 ,  4D006PA03 ,  4D006PB66 ,  4D006PC69 ,  4D006PC80 ,  4G140FA01 ,  4G140FB06 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA16 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
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