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J-GLOBAL ID：200903066137546066

循環堆積による金属ケイ素窒化物膜の調製

Inventor：
シンジャン レイ

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ハリーシュ スリダンダム

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カーク スコット クシール

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アーサー ケネス ホッホバーグ

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Applicant, Patent owner：
エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド

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Agent (4)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006036223
Publication number (International publication number)：2006225764
Application date： Feb. 14, 2006
Publication date： Aug. 31, 2006
Summary：
【課題】前駆体の循環堆積によって三成分金属ケイ素窒化物膜を製造するための改善された方法を提供する。【解決手段】金属アミドと、NH及びSiH官能性の両方を有するケイ素源とを前駆体として使用することにあり、それによりこのような金属-SiN膜が形成される。これらの前駆体は、循環堆積によって基材表面に逐次的に適用される。例示的なケイ素源は、以下の式、即ち、(R1NH)nSiR2mH4-n-m(n=1、2;m=0、1、2;n+m≦3);及び(R32N-NH)xSiR4yH4-x-y(x=1、2;y=0、1、2;x+y≦3)によって表されるモノアルキルアミノシラン及びヒドラジノシランであり、式中、R1-4が同じであるか又は異なり、アルキル、ビニル、アリル、フェニル、環状アルキル、フルオロアルキル、シリルアルキルからなる群より独立して選択される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基材上に金属ケイ素窒化物膜を形成するための循環堆積法であって、 金属アミドを堆積チャンバーに導入して加熱基材上に膜を堆積させる工程; 堆積チャンバーをパージして未反応の金属アミドと任意の副産物を除去する工程; N-HフラグメントとSi-Hフラグメントを含有するケイ素化合物を堆積チャンバーに導入して加熱基材上に膜を堆積させる工程; 堆積チャンバーをパージして任意の未反応化合物と副産物を除去する工程;及び 所望の膜厚が確立されるまで循環堆積法を繰り返す工程 を含む、循環堆積法。
IPC (2)：
C23C 16/42 ,  H01L 21/285
FI (2)：
C23C16/42 ,  H01L21/285 C
F-Term (30)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 米国特許出願公開第2004/0009336号明細書
  • 米国特許出願公開第2004/0197492号明細書
  • 米国特許出願公開第2003/0190423号明細書
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Cited by examiner (3)

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