Pat
J-GLOBAL ID：200903067136747013

ケイ素含有膜を付着させるための前駆体およびそのプロセス

Inventor：
マンチャオ シャオ

About マンチャオ シャオ

, 
アーサー ケネス ホックバーグ

About アーサー ケネス ホックバーグ

, 
カーク スコット カシル

About カーク スコット カシル


Applicant, Patent owner：
エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド

About エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  栗田 博道 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004015984
Publication number (International publication number)：2004228585
Application date： Jan. 23, 2004
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：
【課題】 低温条件(400°Cより低い温度)で成長し、炭素汚染が低減され、そして水素汚染が低レベルであるケイ素含有誘電体膜の形成に有用な一群の前駆体を用いた化学蒸着プロセスを提供する。【解決手段】 次式のヒドラジノシラン類を用いて基板上に窒化ケイ素、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素のケイ素含有誘電体を蒸着させるプロセス: [R12N-NH]nSi(R2)4-n[式中、各R1は独立してC1〜C6のアルキル基より選択され;各R2は独立して水素、アルキル基、ビニル基、アリル基およびフェニル基から成る群より選択され;n=1〜4である]。該ヒロラジノシラン類の幾つかは新規な前駆体である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
次式のヒドラジノシランを用いる、基板上での窒化ケイ素の化学蒸着プロセス: [R12N-NH]nSi(R2)4-n [式中、各R1は独立してC1〜C6のアルキル基より選択され;各R2は独立して水素、アルキル基、ビニル基、アリル基およびフェニル基から成る群より選択され;n=1〜4である]。
IPC (1)：
H01L21/318
FI (1)：
H01L21/318 B
F-Term (24)：
4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ34 ,  4H049VR11 ,  4H049VR21 ,  4H049VR22 ,  4H049VR51 ,  4H049VR52 ,  4H049VU24 ,  4H049VU25 ,  5F058BA05 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (19)
  • 半導体装置の保護膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284351   Applicant：川崎製鉄株式会社
  • 米国特許第6,284,583号明細書
  • 米国特許第5,234,869号明細書
Show all
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM