ケイ素含有膜を付着させるための前駆体およびそのプロセス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 栗田博道 , 西山雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004015984
Publication number (International publication number)：2004228585
Application date： Jan. 23, 2004
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：

【課題】低温条件(400°Cより低い温度)で成長し、炭素汚染が低減され、そして水素汚染が低レベルであるケイ素含有誘電体膜の形成に有用な一群の前駆体を用いた化学蒸着プロセスを提供する。【解決手段】次式のヒドラジノシラン類を用いて基板上に窒化ケイ素、酸化ケイ素および酸窒化ケイ素のケイ素含有誘電体を蒸着させるプロセス: [R12N-NH]nSi(R2)4-n[式中、各R1は独立してC1〜C6のアルキル基より選択され;各R2は独立して水素、アルキル基、ビニル基、アリル基およびフェニル基から成る群より選択され;n=1〜4である]。該ヒロラジノシラン類の幾つかは新規な前駆体である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

次式のヒドラジノシランを用いる、基板上での窒化ケイ素の化学蒸着プロセス: [R12N-NH]nSi(R2)4-n [式中、各R1は独立してC1〜C6のアルキル基より選択され;各R2は独立して水素、アルキル基、ビニル基、アリル基およびフェニル基から成る群より選択され;n=1〜4である]。

IPC (1)：

H01L21/318

FI (1)：

H01L21/318 B

F-Term (24)：

4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VQ02 , 4H049VQ34 , 4H049VR11 , 4H049VR21 , 4H049VR22 , 4H049VR51 , 4H049VR52 , 4H049VU24 , 4H049VU25 , 5F058BA05 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF02 , 5F058BF04 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ02 , 5F058BJ04 , 5F058BJ06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体装置の保護膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-284351 Applicant：川崎製鉄株式会社
米国特許第6,284,583号明細書
米国特許第5,234,869号明細書

Show all

Cited by examiner (9)

気相成長方法および気相成長装置およびハロゲン化アンモニウム除去装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-179218 Applicant：株式会社東芝
特開平1-213339
特開平2-051530

Show all

Return to Previous Page