MOSデバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：長谷川芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001060383
Publication number (International publication number)：2002261275
Application date： Mar. 05, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】チャネル移動度を高めたMOSデバイスを提供する。【解決手段】本発明に係るMOSデバイスは、4H型SiCの上面に酸化膜が積層され、酸化膜の上面に金属電極が設けられたMOSデバイスにおいて、酸化膜が積層された4H型SiCの面は、{03-38}面、又は、{03-38}面に対して10°以内のオフ角αを有する。

Claim (excerpt)：

4H型SiCの上面に酸化膜が積層され、前記酸化膜の上面に金属電極が設けられたMOSデバイスにおいて、前記酸化膜が積層された前記4H型SiCの面は、{03-38}面、又は、{03-38}面に対して10°以内のオフ角αを有する面であることを特徴とするMOSデバイス。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 21/205 , H01L 29/749 , H01L 21/336

FI (9)：

H01L 29/78 652 H , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 21/205 , H01L 29/78 301 Q , H01L 29/74 601 A , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 658 E

F-Term (52)：

5F005AA03 , 5F005AC02 , 5F005AE09 , 5F005AH02 , 5F005AH03 , 5F005AH04 , 5F005CA04 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045AD10 , 5F045AD18 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA05 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F045EE12 , 5F045HA15 , 5F045HA16 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA07 , 5F140AA25 , 5F140AC23 , 5F140AC39 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG44 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BH30 , 5F140BJ11 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK38 , 5F140CD09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-320092 Applicant：工業技術院長
MOSデバイス、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-086823 Applicant：三洋電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-346455 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団

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