半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998320092
Publication number (International publication number)：2000150792
Application date： Nov. 11, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【解決手段】少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、絶縁体を介して金属層を設けた半導体装置において、絶縁体を最下層に窒化アルミニウム、その上に酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を積層して構成すると共に、半導体基板上に絶縁体を形成後、或は絶縁体上に金属層を形成後に水素アニール処理乃至水素プラズマ照射処理を行う。【効果】高絶縁破壊電圧で、しかも低界面準位密度の良好な電気特性を有する、半導体装置及び半導体装置が搭載された半導体集積回路を作製することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、絶縁体を介して金属層を設けた半導体装置において、絶縁体を最下層に窒化アルミニウム、その上に酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を積層して構成したことを特徴とする半導体装置。【請求項2】金属層を、アルミニウムを含有する合金或は不純物を含有するポリシリコン或はシリコンで構成する請求項1記載の半導体装置。【請求項3】少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、最下層に窒化アルミニウム、その上に酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を積層してなる絶縁体を形成し、その上に金属層を形成する半導体装置の製造方法において、絶縁体を形成した後、或は金属層を形成した後に水素アニールを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。【請求項4】少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、最下層に窒化アルミニウム、その上に酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を積層してなる絶縁体を形成し、その上に金属層を形成する半導体装置の製造方法において、絶縁体を形成した後、或は金属層を形成した後に水素プラズマ照射処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/318 , H01L 21/324 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 27/04 C , H01L 21/318 B , H01L 21/324 Z , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 B

F-Term (32)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC14 , 5F038EZ02 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F040DA19 , 5F040DB01 , 5F040DB09 , 5F040DC02 , 5F040EC04 , 5F040ED07 , 5F040EJ03 , 5F040FC00 , 5F040FC05 , 5F040FC11 , 5F040FC15 , 5F058BA01 , 5F058BA11 , 5F058BB10 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD12 , 5F058BF20 , 5F058BF53 , 5F058BF62 , 5F058BH01 , 5F058BH05 , 5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平3-115575
炭化珪素半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-179355 Applicant：ローム株式会社
特開昭60-142568

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