半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：福田賢三 (外2名) , 福田賢三 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000346455
Publication number (International publication number)：2002151680
Application date： Nov. 14, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置において、埋め込みチャネル型のMISトランジスターとし、その構造や炭化珪素基板の面方位を最適化することによりノーマリーオンにならず、しかも高いホットキャリア耐性や、高パンスルー耐性、あるいは、高チャネル移動度を有する埋め込みチャネル領域型のトランジスターである半導体装置を提供する。【解決手段】P型の炭化珪素の半導体基板を用いたMISトランジスタで、埋め込みチャネル領域を形成する。その埋め込みチャネル領域の形成される深さを最適化して高い移動度が得られるようにするために、埋め込みチャネル領域の接合深さ(Lbc)と、ソースとドレイン領域の接合部の深さ(Xj)との比(Lbc÷Xj)が0.2以上、1.0以下にする。また、トランジスタは六方晶あるいは菱面体晶炭化珪素の(1,1,-2,0)面の上に形成する。

Claim (excerpt)：

P型の炭化珪素からなる領域が形成された半導体基板と、該P型領域上にゲート絶縁膜が形成された構成と、P型の特性を示すゲート電極が該ゲート絶縁膜上に形成された構成と、該ゲート絶縁膜の下の半導体層に埋め込みチャネル領域を形成するのに十分な不純物濃度のN型不純物領域が形成された構成と、上記のゲート絶縁膜とゲート電極に隣接してトランジスタを構成するソースとドレイン領域がN型不純物領域からなる構成とを有することを特徴とする半導体装置。

F-Term (8)：

5F040DA17 , 5F040DA21 , 5F040DC02 , 5F040EC07 , 5F040EC26 , 5F040EE05 , 5F040EM02 , 5F040FC11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

炭化けい素nチャネルMOS半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-282202 Applicant：富士電機株式会社
特開昭60-032354
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-206592 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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