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J-GLOBAL ID:200903066233589450

光近接効果補正方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲垣 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999301875
Publication number (International publication number):2001125251
Application date: Oct. 25, 1999
Publication date: May. 11, 2001
Summary:
【要約】【課題】 「コの字」状パターンの屈曲部間の直線部の配線幅が所定配線幅になるように光近接効果補正を行う方法を提供する。【解決手段】 本方法は、フォトリソグラフィによりマスク配線パターンを転写してエッチングマスクを形成する際、光近接効果を補償するためにマスク配線パターンを補正する光近接効果補正方法である。本方法は、設計配線パターンの「コの字」状パターンを抽出する第1のステップと、マスク配線パターンの「コの字」状パターンの2個の屈曲部の内縁に切り欠き補正パターンを光近接効果補正ルールに従って設ける第2のステップと、切り欠き補正パターンの対向端部間の直線部に沿った間隔を算出する第3のステップと、端部間の間隔と、設定間隔とを比較する第4のステップと、切り欠き補正パターンの対向する端部間の間隔が設定間隔になるように、切り欠き補正パターンの直線部に沿ったパターン部分の長さを短縮してなる短縮切り欠き補正パターンを改めて屈曲部に設けるようにした第5のステップとを備える。
Claim (excerpt):
フォトリソグラフィにより配線パターンをパターンニングする際に使用するフォトマスクに対し、前記配線パターンの形状に応じて光近接効果を補正する光近接効果補正方法において、配線パターンを走査してL字パターンを認識する第1のステップと、認識した前記L字パターンの配線形状に応じて各屈曲部にL字パターン光近接効果補正を施す第2のステップと、前記配線パターンを走査して「コの字」状パターンを認識する第3のステップと、前記第3のステップで認識した「コの字」状パターンの2つ屈曲部に対して、前記第2のステップでL字パターン光近接効果補正としてそれぞれ施した2つの切り欠き補正パターンの端部同士の間隔dを求める第4のステップと、前記間隔dと予め設定してある長さdS を比較する第5のステップと、前記間隔dがdS より小さい場合は、間隔dがdS になるように切り欠き補正パターンを修正する第6のステップとを備えることを特徴とする光近接効果補正方法。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2):
G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (1):
2H095BB02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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