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J-GLOBAL ID：200903066241952637

SiC単結晶の製造方法

Inventor：
坂元 秀光

About 坂元 秀光


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  亀松 宏 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006014726
Publication number (International publication number)：2007197231
Application date： Jan. 24, 2006
Publication date： Aug. 09, 2007
Summary：
【課題】成長面の平坦性を安定に維持し多結晶化を防止して大口径のSiC単結晶を成長させることができる、溶液法によるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持した六方晶のSiC種結晶を起点として六方晶のSiC単結晶を成長させる方法において、上記SiC種結晶の(0001)面から〔1-100〕方向へ所定のオフ角だけ傾斜した面に、上記SiC単結晶を成長させる。上記オフ角が1〜30°であることが望ましく、上記オフ角が90°である(1-100)面に上記SiC単結晶を成長させることが最も望ましい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
黒鉛るつぼ内のSi融液内に内部から融液面に向けて温度低下する温度勾配を維持しつつ、該融液面の直下に保持した六方晶のSiC種結晶を起点として六方晶のSiC単結晶を成長させる方法において、 上記SiC種結晶の(0001)面から〔1-100〕方向へ所定のオフ角だけ傾斜した面に、上記SiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 29/36 ,  C30B 19/04
FI (2)：
C30B29/36 A ,  C30B19/04
F-Term (11)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA71 ,  4G077QA79
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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