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J-GLOBAL ID：200903066390821944

電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びそれを用いた電子源

Inventor：
山田 貴壽

About 山田 貴壽

, 
鹿田 真一

About 鹿田 真一


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005282977
Publication number (International publication number)：2007095478
Application date： Sep. 28, 2005
Publication date： Apr. 12, 2007
Summary：
【課題】 本発明は、電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びこれを用いた低電圧動作可能な冷陰極表面構造に利用できる安定で優れた電子放出特性を示すダイヤモンド電子源を提供する。【解決手段】 電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜であって、ダイヤモンド基板上に、マイクロ波CVD法によってメタンと水素のガス及びリン雰囲気中で,ダイヤモンド膜を成長させるに際して、リン添加源として、ターシャルブチルリンを用い、リンを濃度1015cm-3以上含有し、抵抗率が107Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であることを特徴とするリン添加ダイヤモンド膜の製造方法及びそれを用いたダイヤモンド電子源。【採用図面】 図2
Claim (excerpt)：
リンを濃度1015cm-3以上含有し、抵抗率が107Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であることを特徴とするダイヤモンド膜。
IPC (2)：
H01J 1/304 ,  H01J 9/02
FI (2)：
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B
F-Term (19)：
5C127AA01 ,  5C127AA20 ,  5C127BA09 ,  5C127BB06 ,  5C127CC03 ,  5C127CC62 ,  5C127CC63 ,  5C127DD08 ,  5C127DD09 ,  5C127EE06 ,  5C135AA09 ,  5C135AB06 ,  5C135FF18 ,  5C135FF19 ,  5C135FF20 ,  5C135GG06 ,  5C135GG12 ,  5C135GG13 ,  5C135HH06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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