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J-GLOBAL ID：200903066437604793

窒化物半導体基板、それも用いた窒化物半導体素子の製造方法

Inventor：
杉本 康宜

About 杉本 康宜

, 
蝶々 一幸

About 蝶々 一幸


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001088907
Publication number (International publication number)：2002289491
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：
【要約】【課題】 異種基板上に、厚膜の窒化物半導体層を形成した後、窒化物半導体基板を取り出すために、異種基板を、割れ、欠けなどなく除去する。【解決手段】 窒化物半導体と異なる材料よりなると共に、第1の主面と第2の主面とを有する異種基板10の第1の主面上に、成長層として少なくとも第1の窒化物半導体層12を成長させる成長工程と、前記第2の主面側から前記成長層が露出される深さで、異種基板10の一部が除去されて、溝部20を形成する溝形成工程と、除去されずに残った異種基板10を除去して、前記溝部以外の領域の成長層を露出させる異種基板除去工程と、を少なくとも具備することで、異種基板を除去することにより割れることなく、窒化物半導体層を単体化できる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなると共に、第1の主面と第2の主面とを有する異種基板の第1の主面上に、成長層として少なくとも第1の窒化物半導体層を成長させる成長工程と、前記第2の主面側から前記成長層が露出される深さで、異種基板の一部が除去されて、溝部を形成する溝形成工程と、除去されずに残った異種基板を除去して、前記溝部以外の領域の成長層を露出させる異種基板除去工程と、を少なくとも具備してなることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
FI (3)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
F-Term (40)：
5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA55 ,  5F045DB01 ,  5F045DB02 ,  5F045GH05 ,  5F045GH09 ,  5F073AA09 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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