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J-GLOBAL ID:200903066445494255
透明導電性酸化亜鉛皮膜及びその作製方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
,
Agent (1):
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999179823
Publication number (International publication number):2001011642
Application date: Jun. 25, 1999
Publication date: Jan. 16, 2001
Summary:
【要約】【解決手段】 湿式めっき法により作製され、膜厚が0.005μm以上で、可視光平均透過率が70%以上、比抵抗値が0.1Ω・cm以下であることを特徴とする透明導電性酸化亜鉛皮膜。【効果】 本発明によれば、電気伝導性と透明性の優れた酸化亜鉛皮膜を得ることができる。
Claim (excerpt):
湿式めっき法により作製され、膜厚が0.005μm以上で、可視光平均透過率が70%以上、比抵抗値が0.1Ω・cm以下であることを特徴とする透明導電性酸化亜鉛皮膜。
IPC (4):
C23C 18/16
, C25D 9/04
, G02F 1/1343
, H01L 31/04
FI (4):
C23C 18/16 Z
, C25D 9/04
, G02F 1/1343
, H01L 31/04 M
F-Term (23):
2H092HA04
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA11
, 2H092MA29
, 2H092NA25
, 2H092NA28
, 2H092PA01
, 4K022AA02
, 4K022AA03
, 4K022AA04
, 4K022AA13
, 4K022AA43
, 4K022BA15
, 4K022BA25
, 4K022BA33
, 4K022DA01
, 4K022EA01
, 5F051AA20
, 5F051BA05
, 5F051CA20
, 5F051FA02
, 5F051GA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板の製造方法及び光電変換素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-008685
Applicant:キヤノン株式会社
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導電性金属酸化物皮膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-145778
Applicant:株式会社ジャパンエナジー
-
酸化亜鉛膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-067394
Applicant:大阪市, 奥野製薬工業株式会社
-
酸化亜鉛膜作製用電解液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-023775
Applicant:大阪市, 奥野製薬工業株式会社
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透明導電性薄膜積層体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-089527
Applicant:三井化学株式会社
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