半導体膜の結晶化方法、およびアクティブマトリクス基板

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996252775
Publication number (International publication number)：1998097993
Application date： Sep. 25, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】レーザ溶融結晶化にこれまで検討されていなかった条件を考慮することにより、半導体膜表面を粗らすことなく、結晶化度をさらに高めることのできる半導体膜の結晶化方法、それを用いたTFTの製造方法、この製造方法により製造したTFTを用いたアクティブマトリクス基板、およびこの基板を用いた液晶表示装置を提供すること。【解決手段】アモルファスのシリコン膜(半導体膜)に対して、初めからいきなり高いエネルギー密度のレーザ光を照射するのではなく、低いエネルギー密度から段階的にエネルギー密度を上げる。高いエネルギー密度での照射を終えた後は、段階的にエネルギー密度を下げる。

Claim (excerpt)：

基板上の半導体膜に対してパルス発振レーザ光を照射して前記半導体膜を結晶化するにあたって、前記半導体膜からみて前記パルス発振レーザ光のエネルギー密度が低密度から高密度にシフトする傾向をもつ条件で前記半導体膜に前記パルス発振レーザ光を照射することを特徴とする半導体膜の結晶化方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (35)

半導体デバイスのレーザー処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-309826 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
特開平2-177422
特開平2-177422

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