Pat
J-GLOBAL ID:200903066590336617

半導体装置の製造方法および製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998272433
Publication number (International publication number):2000068356
Application date: Aug. 21, 1998
Publication date: Mar. 03, 2000
Summary:
【要約】【課題】所望種類の半導体装置を、スループットが高く、汚染の恐れが少なく低コストで容易に製造できる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造工程を、それぞれ複数の要素処理工程からなる複数の単位プロセス工程に分割し、製造すべき半導体装置の種類によって選択された単位プロセス工程を組み合わせて接続し、半導体半導体ウエーハを順次処理する。【効果】同一の枚葉式生産ラインを用いて、所望種類の半導体装置を容易に製造できる。
Claim (excerpt):
半導体装置の製造に要する製造工程を、それぞれ複数の要素処理工程を含む複数の単位プロセス工程に分割し、当該複数の単位プロセス工程のうち、製造すべき半導体装置の種類によって複数の所望上記単位プロセス工程を選択して所定の順序に接続し、当該接続された複数の所望上記単位プロセス工程によって半導体ウエーハを順次処理することにより、種類が互いに異なる複数の上記半導体装置から選択された所望の半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/68 ,  H01L 21/02
FI (2):
H01L 21/68 A ,  H01L 21/02 Z
F-Term (9):
5F031MA23 ,  5F031MA24 ,  5F031MA26 ,  5F031MA27 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA31 ,  5F031MA33 ,  5F031PA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page