半導体チップの薄肉加工方法および薄肉加工用エッチング装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998297751
Publication number (International publication number)：2000124166
Application date： Oct. 20, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】特別なダイシング用のウエハ支持台を用いることなくダイシング用切り込みを一定の深さにすることができる半導体チップの薄肉加工方法および薄肉加工用エッチング装置を提供する。【解決手段】シリコンウエハ1における素子が形成されていない裏面1bから研削加工して所定厚みにする。シリコンウエハ1における素子が形成された素子形成面1aから同ウエハ1に所定深さのダイシング用切り込み6を入れる。ウエハ1をエッチングポット8にセットし、シールパッキン9にてウエハ1の外周部をマスクした状態でエッチング液7にてウエハ裏面1bに対しウエハ1の外周部を残して所定深さまでエッチングして薄くする。ブレークローラを用いてシリコンウエハ1において切り込み6に沿って各チップに分離し、各チップを取り出す。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハにおける素子が形成された素子形成面から同ウエハに所定深さのダイシング用切り込みを入れる工程と、前記半導体ウエハにおける素子が形成されていない裏面に対しウエハの外周部を残して所定深さまでエッチングして薄くする工程と、前記半導体ウエハにおけるダイシング用切り込みに沿って各チップに分離する工程と、を備えたことを特徴とする半導体チップの薄肉加工方法。

FI (2)：

H01L 21/78 Q , H01L 21/78 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平3-270156
特開平1-289265
半導体ウェハーのダイシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-007360 Applicant：松下電子工業株式会社

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Cited by examiner (6)

特開平3-270156
特開平1-289265
半導体ウェハーのダイシング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-007360 Applicant：松下電子工業株式会社

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