Pat
J-GLOBAL ID：200903066711063770
工程条件を変化させつつ化学気相蒸着法でルテニウム膜を形成する方法及びそれにより形成されたルテニウム膜
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000391253
Publication number (International publication number)：2001234347
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は化学気相蒸着法で本来の特性が良好なルテニウム膜を形成する方法及びそのルテニウム膜の構造を提供する。【解決手段】 ルテニウム膜は、工程条件を変化させつつ少なくとも二段階でルテニウム膜を形成する。すなわち、初期にはルテニウムの核形成速度が成長速度より速い条件で蒸着して稠密にルテニウムを蒸着し、後では核形成速度より成長速度が速い条件でルテニウムを蒸着してさまざまな方向への成長を均一にすることにより、稠密でありつつ表面モーフォロジが良好なルテニウム膜を得る。本発明は段差塗布性と電気的特性が良好なルテニウム膜を得ることができ、特に立体形のキャパシタの電極に有用である。
Claim (excerpt)：
ルテニウムソースガスと酸素ガスを使用して化学気相蒸着法で蒸着チャンバ内に安着された基板上のルテニウム膜を形成する方法において、(a)蒸着チャンバ内の圧力を第1圧力に維持し、酸素ガスの流量を第1流量に維持しつつルテニウムを蒸着する段階と、(b)蒸着チャンバ内の圧力を第2圧力に維持し、酸素ガスの流量を第2流量に維持しつつルテニウムを蒸着する段階とを具備し、前記第1圧力は前記第2圧力より大きく、前記第1流量は前記第2流量より多いことを特徴とするルテニウム膜の形成方法。
IPC (4)：
C23C 16/455
, C23C 16/18
, H01L 27/04
, H01L 21/822
C23C 16/455
, C23C 16/18
, H01L 27/04 C
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
Return to Previous Page
