気泡発生装置および気泡発生方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：朝日奈宗太 , 佐木啓二 , 秋山文男 , 田中弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003077113
Publication number (International publication number)：2004283683
Application date： Mar. 20, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】より微小な気泡を得ることができ、液面に浮上した気泡がすぐに消える気泡発生装置および気泡発生装置を提供する。【解決手段】カルボキシル基を持ち分子量をカルボキシル基の数で割った値が47以上140以下である物質を0.001mol/L以上1mol/L以下含み、かつpHが4以下である水の中で気泡を発生させる。あるいは、カルボキシル基とアミノ基を分子内に持ち分子量をカルボキシル基の数で割った値が94以上280以下である物質、分子内に水酸基を複数持ち分子量を水酸基の数で割った値が38以上73以下である物質、エステル基を持ち分子量をエステル基の数で割った値が47以上140以下である物質、またはスルホン酸基を持ち分子量をスルホン酸基の数で割った値が47以上140以下である物質を、0.001mol/L以上1mol/L以下含んだ水の中で気泡を発生させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

気泡発生槽と、該槽内に入れられた水と、該水中に気泡を発生させるための気泡発生手段とからなる気泡発生装置であって、前記水が、カルボキシル基を持ち分子量をカルボキシル基の数で割った値が47以上140以下である物質を0.001mol/L以上1mol/L以下含み、pHが4以下である気泡発生装置。

IPC (5)：

B08B3/08 , B01F1/00 , B01F3/04 , B08B3/04 , C02F1/78

FI (6)：

B08B3/08 Z , B01F1/00 A , B01F3/04 D , B01F3/04 F , B08B3/04 Z , C02F1/78

F-Term (15)：

3B201AA46 , 3B201BB02 , 3B201BB03 , 3B201BB92 , 4D050AA01 , 4D050AA12 , 4D050AB11 , 4D050BB02 , 4D050BD04 , 4D050CA13 , 4G035AB06 , 4G035AB20 , 4G035AB22 , 4G035AC15 , 4G035AE02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-331555 Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
ガラス基板の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-030940 Applicant：富士電機株式会社
基板処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-167470 Applicant：住友精密工業株式会社

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Cited by examiner (4)

半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-331555 Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
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基板処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-167470 Applicant：住友精密工業株式会社

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