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J-GLOBAL ID：200903066783483510

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
太田 啓之

About 太田 啓之

, 
田中 利之

About 田中 利之

, 
渡辺 温

About 渡辺 温


Applicant, Patent owner：
パイオニア株式会社

About パイオニア株式会社


Agent (1)： 藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998224891
Publication number (International publication number)：2000058917
Application date： Aug. 07, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 組成比の異なるIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)の多層構造からなる半導体発光素子における隣接層間界面を起点とするクラックの発生を抑制する。【解決手段】 多層構造内の隣接する二層のうち上層の格子定数よりも下層の格子定数が大きい界面近傍にはIII族窒化物半導体とは異なる元素を他の部分よりも高い濃度で添加する。
Claim (excerpt)：
互いに異なる組成比のIII族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1、0≦y≦1)を基板上に順次積層して得られる多層構造の半導体発光素子であって、前記多層構造内の隣接する二層のうち上層の格子定数よりも下層の格子定数が大きい界面近傍には前記III族窒化物半導体とは異なる元素が他の部分よりも高い濃度で添加されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/30
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18
F-Term (30)：
5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F045EE15 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB06 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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