二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007045884
Publication number (International publication number)：2007235139
Application date： Feb. 26, 2007
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：

【課題】二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された形成された第1酸化層と、第1酸化層上に形成された第2酸化層と、第2酸化層上に形成された上部電極と、を備える二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、前記下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された第1酸化層と、前記第1酸化層上に形成された第2酸化層と、前記第2酸化層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

F-Term (7)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083JA60 , 5F083LA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-130645 Applicant：三星電子株式会社
PCMO薄膜の形成方法及びPCMO薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-130841 Applicant：シャープ株式会社
特願2007-526795
Application number：特願2007-526795

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