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J-GLOBAL ID：200903067014538634

3次元積層デバイスとその製造方法、及び3次元積層デバイスの接合方法

Inventor：
安井 淳人

About 安井 淳人


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007131983
Publication number (International publication number)：2008288384
Application date： May. 17, 2007
Publication date： Nov. 27, 2008
Summary：
【課題】信頼性の高い3次元積層デバイスとその製造方法、及びその3次元積層デバイスの接合方法を提供する。【解決手段】複数の半導体ウェハ2〜5が積層一体化された後、各デバイスに固片化されて成る3次元積層デバイス1であって、隣り合って積層される半導体ウェハにおいて、一方の半導体ウェハの接合部が凸状6に形成され、他方の半導体ウェハの接合部が凹状7に形成され、一方の半導体ウェハの凸状の接合部6と、他方の半導体ウェハの凹状7の接合部とが直接接合されて積層されて成る。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
複数の半導体ウェハが積層一体化された後、各デバイスを形成する3次元積層デバイスであって、 隣り合って積層される半導体ウェハにおいて、一方の半導体ウェハの接合部が凸状に形成され、他方の半導体ウェハの接合部が凹状に形成され、 前記一方の半導体ウェハの凸状の接合部と、前記他方の半導体ウェハの凹状の接合部とが直接接合されて積層されて成る ことを特徴とする3次元積層デバイス。
IPC (5)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/00 ,  H01L 29/84 ,  B81C 3/00
FI (5)：
H01L21/02 B ,  H01L27/12 B ,  H01L27/00 301B ,  H01L29/84 B ,  B81C3/00
F-Term (18)：
3C081AA01 ,  3C081BA04 ,  3C081BA06 ,  3C081BA11 ,  3C081BA22 ,  3C081CA05 ,  3C081CA32 ,  3C081EA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA27 ,  4M112CA32 ,  4M112CA33 ,  4M112DA18 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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