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J-GLOBAL ID：200903067025217465

プラズマ処理方法

Inventor： 薬師寺 守 ,  縄田 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000065698
Publication number (International publication number)：2001250813
Application date： Mar. 06, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体基板のプラズマ処理後の金属汚染を低減し、デバイス特性の劣化を防ぐ。【解決の手段】半導体基板のエッチング処理後に、塩素の単独ガスあるいは塩素と酸素の混合ガスのプラズマに半導体基板を晒し、半導体基板表面に付着したFe,Cr汚染を除去する。

Claim (excerpt)：

半導体基板のエッチング処理後に、塩素の単独ガスあるいは塩素と酸素の混合ガスのプラズマに半導体基板を晒し、半導体基板表面に付着したFe又はCrの汚染物質を除去することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4)：

C23F 4/00 D ,  H05H 1/46 C ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 N

F-Term (28)：

4K057DA01 ,  4K057DB02 ,  4K057DB06 ,  4K057DB08 ,  4K057DB15 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE11 ,  4K057DE20 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004EB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-161618   Applicant：富士通株式会社
• プラズマ洗浄法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224167   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• エッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-282688   Applicant：堀池靖浩, アプライドマテリアルズジャパン株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-142213   Applicant：日本電信電話株式会社, 東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-239858   Applicant：三菱電機株式会社