ICインレットの製造方法、IDタグ、IDタグリーダおよびそれらのデータ読み出し方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003004099
Publication number (International publication number)：2004220141
Application date： Jan. 10, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：

【課題】絶縁フィルム上に多数のICインレットが形成された状態で、被検査対象であるICインレットの良、不良を精度よく検査する方法を提供する。【解決手段】絶縁フィルム2に形成されたICインレット1の検査は、アンテナ41からICインレット1にマイクロ波を発信することにより行われる。絶縁フィルム2に形成された多数のICインレット1のうち、被検査対象となる1個のICインレット1のみに選択的にマイクロ波を照射するには、絶縁フィルム2とアンテナ41との間に電波吸収板49を挿入し、この電波吸収板49に設けたスリット50を通じてICインレット1にマイクロ波を照射する。電波吸収板49は、電波吸収体からなる平面板の一部に、ICインレット1とほぼ同じ大きさのスリット50を設けた構成になっている。【選択図】図20

Claim (excerpt)：

以下の工程を含むICインレットの製造方法: (a)所定のデータが書き込まれたメモリ回路を有する複数個の半導体チップを半導体ウエハから個片化する工程、 (b)所定周波数の電波を受信する複数のアンテナが互いに分離された状態で形成された絶縁フィルムを用意する工程、 (c)前記絶縁フィルムに形成された前記複数のアンテナのそれぞれに前記半導体チップを接続する工程、 (d)前記(c)工程の後、前記複数個の半導体チップのそれぞれを封止することによって、前記絶縁フィルム上に複数個のICインレットを形成する工程、 (e)前記絶縁フィルム上に形成された前記複数個のICインレットのそれぞれに前記所定周波数の電波を選択的に照射することによって、前記複数個のICインレットの良、不良を検査する工程。

IPC (4)：

G06K19/077 , G06K17/00 , G06K19/07 , H01L21/02

FI (6)：

G06K19/00 K , G06K17/00 B , G06K17/00 F , H01L21/02 A , H01L21/02 Z , G06K19/00 H

F-Term (9)：

5B035AA03 , 5B035BA03 , 5B035BB09 , 5B035CA01 , 5B035CA23 , 5B058CA17 , 5B058KA24 , 5B058KA28 , 5B058YA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

認識番号を有する半導体装置、その製造方法及び電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-381458 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-032737 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-224799

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