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J-GLOBAL ID：200903067118351340

電界効果半導体装置の製造方法

Inventor：
白石 誠司

About 白石 誠司


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003320709
Publication number (International publication number)：2005093472
Application date： Sep. 12, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：
【課題】 壁面構造の欠陥がより少なく特性の良いカーボンナノチューブを用いることができ、このカーボンナノチューブを均一に分散させたチャネル層等の電流通路を有し、高移動度を有する等のデバイス特性に優れた電界効果半導体装置を容易に製造する方法を提供すること。【解決手段】 壁面構造の欠陥がより少なく特性の良い、ほぼ炭素6員環のみからなる良質カーボンナノチューブをチャネル層5に用いた電界効果トランジスタ6等の電界効果半導体装置を製造するに際し、カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、前記分散液を所定パターンに付着する工程と、前記分散液を乾燥することによって、カーボンナノチューブからなるチャネル層5を形成する工程とを有する、電界効果半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
カーボンナノチューブを電流通路に用いた電界効果半導体装置を製造するに際し、 カーボンナノチューブの分散液を調製する工程と、 前記分散液を所定パターンに付着する工程と、 前記分散液を乾燥することによって、カーボンナノチューブからなる前記電流通路を 形成する工程と を有する、電界効果半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L29/786 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 ,  C23C14/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06
FI (6)：
H01L29/78 618B ,  B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  C23C14/06 F ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618A
F-Term (28)：
4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AB08 ,  4G146AC03A ,  4G146AD21 ,  4G146AD30 ,  4G146BA01 ,  4G146BA50 ,  4G146BC10 ,  4G146BC15 ,  4K029BA34 ,  4K029BB00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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