集積CMOS回路装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富村潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997276394
Publication number (International publication number)：1998107294
Application date： Sep. 24, 1997
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】短チャネル効果及びパンチ効果が回避されかつ高い電荷キャリヤ移動度を補償する集積CMOS回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】担持体板1上に配置された絶縁層2上に、少なくとも1つのSi1-x Gex 層4及びこのSi1-x Gex 層4とほぼ同じ格子定数を有する歪みシリコン層5を含む半導体アイランド6が配置される。この半導体アイランド6は選択的エピタキシーによって形成され、pチャネルMOSトランジスタ及び/又はnチャネルMOSトランジスタを含む。

Claim (excerpt)：

担持体板(1)上に配置された絶縁層(2)上に、少なくとも1つのSi1-x Gex 層(4)とこのSi1-x Gex 層(4)とほぼ同じ格子定数を有する歪みシリコン層(5)とをそれぞれ含む半導体アイランド(6)が配置され、少なくとも1つの半導体アイランド(6)にpチャネルMOSトランジスタが、少なくとも1つの半導体アイランド(6)にnチャネルMOSトランジスタが設けられることを特徴とする集積CMOS回路装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/12

FI (5)：

H01L 29/78 613 A , H01L 27/12 Q , H01L 27/08 321 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 621

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ひずみSi/SiGeヘテロ構造層を使用するCMOSトランジスタ論理回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-097158 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-000324 Applicant：株式会社東芝
特開平3-205830

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