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J-GLOBAL ID：200903067229891149

3-5族化合物半導体の製造方法

Inventor： 平松 和政 ,  三宅 秀人 ,  坊山 晋也 ,  前田 尚良 ,  家近 泰
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 高野 昌俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002211603
Publication number (International publication number)：2004006568
Application date： Jul. 19, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】欠陥密度のより小さい窒化物系3-5族化合物半導体を得ることができる3-5族化合物半導体の製造方法を提供すること。【解決手段】下地層の上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される窒化物系3-5族化合物半導体の結晶層をハイドライド気相成長法により形成する場合、窒化物系3-5族化合物半導体の形成時に成長圧力を800Torr以上とする。このように、成長圧力を800Torr以上とすることにより、結晶性を著しく改善することができる。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

基板の上に、一般式Inx Gay Alz N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される窒化物系3-5族化合物半導体の結晶層をハイドライド気相成長法により形成する方法であって、前記窒化物系3-5族化合物半導体の形成時に成長圧力を800Torr以上とすることを特徴とする3-5族化合物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00

FI (4)：

H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  H01L29/201 ,  H01L33/00 C

F-Term (22)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077EA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC08 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AA01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AE30 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DQ08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-229101   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-299640   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-218122   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-219179   Applicant：日本電信電話株式会社