Pat

J-GLOBAL ID：200903083126615912

窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： 石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  服藤 憲司 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999299640
Publication number (International publication number)：2001119106
Application date： Oct. 21, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基板上に窒化物半導体層を積層する際に活性層の品質の劣化及び原料の気相中間反応を抑制し、半導体発光素子のデバイス特性を向上させる。【解決手段】 基板上に窒化物半導体層を積層する際に、GaInN活性層成長時に圧力を大気圧以上の加圧に切り替え、更にp-AlGaN、p-GaN成長時に圧力を大気圧以下の減圧に切り替えることにより、空孔等の欠陥による活性層の品質劣化を抑制し、かつTMA、Cp2Mg、NH3の気相中間反応を抑制して原料の供給効率を上げることができ、窒化物半導体デバイスの結晶品質を大きく向上させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物半導体層を積層して窒化物半導体素子を作製する方法であって、該窒化物半導体層を積層する工程のいずれかの間に第一の成長雰囲気圧力から第二の成長雰囲気圧力へ変更する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

F-Term (39)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AE30 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EK27 ,  5F045GB06 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特許第2702889号
  
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-007048   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120231   Applicant：昭和電工株式会社
• 気相成長装置及び結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-347202   Applicant：日本電信電話株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-169759   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物半導体単結晶薄膜の成長方法及び同装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-014533   Applicant：京セラ株式会社