窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229101
Publication number (International publication number)：2000058462
Application date： Aug. 13, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】非発光センタの少ない、結晶性に優れた窒化物系III -V族化合物半導体を製造する。【解決手段】 III 族元素の原料と、V族元素の原料のアンモニアと、水素を用いて、気相成長により、窒化物系III -V族化合物半導体を製造する場合に、水素とアンモニアの合計量に対する水素の気相モル比(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))を、0.3<(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))<0.7、0.3<(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))<0.6、あるいは0.4<(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))<0.5に特定する。

Claim (excerpt)：

少なくとも、III 族元素の原料と、V族元素の原料のアンモニアと、水素を用いて、気相成長により、窒化物系III -V族化合物半導体を製造する方法であって、上記水素と上記アンモニアの合計量に対する水素の気相モル比、(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>)と記す)が、0.3<(H<SB>2 </SB>/(H<SB>2 </SB>+NH<SB>3 </SB>))<0.7であることを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/30

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18

F-Term (50)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041AA31 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB19 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE02 , 5F045AE03 , 5F045AE05 , 5F045AE07 , 5F045AE09 , 5F045AE11 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AE29 , 5F045AE30 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CB02 , 5F045DP04 , 5F045DQ06 , 5F045EE04 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F045EG07 , 5F045EK02 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

化合物半導体成長層及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-047593 Applicant：昭和電工株式会社
特開平3-003233
化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-221816 Applicant：株式会社東芝

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