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J-GLOBAL ID：200903067246789811

半導体発光素子の製造方法

Inventor： 郭 準 燮 ,  李 ▲きょう▼ 烈
Applicant, Patent owner： 三星電機株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002152821
Publication number (International publication number)：2003051614
Application date： May. 27, 2002
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 n型基板上にp型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にn型電極を形成する段階とを含む。前記n型基板の下部面は湿式又は乾式エッチングする。これにより、ダメ-ジがない基板の下部面にn型電極が形成されるので、発光素子、特に半導体レ-ザダイオ-ドの特性を向上させ得る。

Claim (excerpt)：

n型基板上にp型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にn型電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308 ,  H01S 5/323 610

FI (4)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/308 C ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 105 B

F-Term (30)：

5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB19 ,  5F004EA38 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA99 ,  5F041FF16 ,  5F043AA13 ,  5F043BB10 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073BA05 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA21 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-270375   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-014569   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体チップの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-358557   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-074966   Applicant：三洋電機株式会社