窒化物系半導体素子およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003074966
Publication number (International publication number)：2004006718
Application date： Mar. 19, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板1の裏面(窒素面)をRIE法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたn型GaN基板1の裏面(窒素面)上に、n側電極8を形成する工程とを備えている。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

ウルツ鉱構造を有するn型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第1半導体層の裏面をエッチングする工程と、その後、前記エッチングされた第1半導体層の裏面上に、n側電極を形成する工程とを備えた、窒化物系半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01S5/323 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L33/00

FI (4)：

H01S5/323 610 , H01L33/00 C , H01L21/302 105B , H01L21/306 B

F-Term (38)：

5F004AA07 , 5F004BA04 , 5F004CA02 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB19 , 5F004EB02 , 5F004FA07 , 5F041AA21 , 5F041AA31 , 5F041CA04 , 5F041CA22 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041DA07 , 5F043AA05 , 5F043BB10 , 5F043DD08 , 5F043FF07 , 5F043GG04 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA25 , 5F073DA30 , 5F073DA32 , 5F073DA35 , 5F073EA29 , 5F073FA21 , 5F073FA27 , 5F073HA02 , 5F073HA04 , 5F073HA10 , 5F073HA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

窒化物半導体チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-358557 Applicant：シャープ株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-099780 Applicant：ローム株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-179591 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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