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J-GLOBAL ID：200903067266103347

電子機器および半導体装置

Inventor： 曽我 太佐男 ,  下川 英恵 ,  中塚 哲也 ,  中村 真人 ,  藤田 祐治 ,  石田 寿治 ,  岡本 正英 ,  芹沢 弘二 ,  八矢 登志広 ,  椋野 秀樹
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001053475
Publication number (International publication number)：2002076606
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、電子機器における耐落下もしくは衝撃性を向上させることを目的とする。さらには、大変形を伴う熱衝撃に弱いSiチップ等のダイボンドした半導体装置や、大きな応力が作用するパワーモジュールのはんだ接続の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】本発明は、上記目的を達成するために、回路基板と、該回路基板の有する電極と電気的に接続する電子部品と、該回路基板の有する電極と該電子部品の有する電極とをCu:0〜2.0mass%、In:0.1〜10mass%、残りSnからなる鉛フリーはんだを用いてはんだ接続したものである。

Claim (excerpt)：

回路基板と、該回路基板の有する電極と電気的に接続する電子部品とを備え、該回路基板の有する電極と該電子部品の有する電極とをCu:0〜2.0mass%、In:0.1〜7.0mass%、残りSnからなる鉛フリーはんだを用いてはんだ接続したことを特徴とする電子機器。

IPC (7)：

H05K 3/34 512 ,  B23K 35/26 310 ,  C22C 13/00 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 501

FI (7)：

H05K 3/34 512 C ,  B23K 35/26 310 A ,  C22C 13/00 ,  H01L 21/52 E ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 23/12 501 Z ,  H01L 21/92 603 B

F-Term (23)：

5E319AA03 ,  5E319AB01 ,  5E319AB05 ,  5E319AC02 ,  5E319BB04 ,  5E319BB05 ,  5E319BB10 ,  5E319CC33 ,  5E319CD27 ,  5E319CD28 ,  5E319CD29 ,  5E319GG20 ,  5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ03 ,  5F047AA11 ,  5F047BA06 ,  5F047BA14 ,  5F047BA17 ,  5F047BA19 ,  5F047BB04 ,  5F047BB11 ,  5F047BB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 高強度鉛無含有はんだ材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-362345   Applicant：エイチ-テクノロジーズ・グループインコーポレイテッド, シンガポール・アサヒ・ケミカル・アンド・ソルダー・インダストリーズ・ピーティーイー・リミテッド
• Pbフリーはんだ接続構造体および電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-346811   Applicant：株式会社日立製作所
• 電気・電子回路部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-194169   Applicant：株式会社大和化成研究所, 石原薬品株式会社