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J-GLOBAL ID：200903067274100799

半導体記憶装置

Inventor：
瀬戸川 潤

About 瀬戸川 潤


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001258208
Publication number (International publication number)：2003068077
Application date： Aug. 28, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：
【要約】【課題】 データストローブ信号DQSとクロック信号CLKの位相差を正確に把握し、正常な動作を行なうことができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置内の検知回路20はラッチ回路L10とL11とを含む。ラッチ回路L10はライトレイテンシ経過後のクロック信号CLKの立上り時にデータストローブ信号DQSをラッチする。ラッチ回路L11はクロック信号CLKの立上り時にラッチ回路L10の出力信号を受け、検知信号JUDGEを出力する。半導体記憶装置内の各回路は検知信号JUDGEにより制御される。
Claim (excerpt)：
外部から入力されるクロック信号と、外部から入力され、データを取り込むための信号であるストローブ信号との位相差を検知し、その結果を検知信号として出力する検知手段と、前記検知信号に応答して前記データの入力を行なうデータ入力回路とを含む、半導体記憶装置。
FI (2)：
G11C 11/34 354 C ,  G11C 11/34 362 S
F-Term (14)：
5M024AA04 ,  5M024BB27 ,  5M024BB34 ,  5M024DD39 ,  5M024DD83 ,  5M024GG01 ,  5M024JJ03 ,  5M024JJ36 ,  5M024JJ40 ,  5M024LL01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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