Pat
J-GLOBAL ID：200903098401620848

半導体装置およびその検査方法

Inventor：
三木 武夫

About 三木 武夫

, 
濱本 武史

About 濱本 武史


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001035274
Publication number (International publication number)：2002237200
Application date： Feb. 13, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】 集積回路の内部信号の位相を直接に検出することを可能にする。【解決手段】 半導体チップには、通常動作を実現する集積回路に加えて、位相比較回路1が設けられる。位相比較回路1は、集積回路の内部信号Aと外部信号との間で位相の比較を行い、その結果を表現するモニタ信号MONSIGを、半導体チップの外部へ出力する。
Claim (excerpt)：
M(M≧1)個の半導体基板を有する半導体装置であって、前記M個の半導体基板の各々が、集積回路と、前記集積回路の内部で発生する内部信号と前記半導体装置の外部から入力される外部信号との間で位相の比較を行い、その結果をモニタ信号として出力する位相比較回路と、前記モニタ信号を出力するためのモニタ信号用パッドと、を備える半導体装置。
IPC (3)：
G11C 29/00 671 ,  G11C 29/00 659 ,  G01R 31/28
FI (4)：
G11C 29/00 671 Z ,  G11C 29/00 659 ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 V
F-Term (14)：
2G132AA08 ,  2G132AB07 ,  2G132AC10 ,  2G132AD04 ,  2G132AG09 ,  2G132AH04 ,  2G132AK09 ,  2G132AL11 ,  5L106AA01 ,  5L106DD01 ,  5L106DD12 ,  5L106DD32 ,  5L106EE00 ,  5L106GG03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-170203   Applicant：株式会社日立製作所
  • テスト回路を有する半導体集積回路装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-174532   Applicant：日本電気株式会社
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-229996   Applicant：三菱電機株式会社
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM