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J-GLOBAL ID：200903067331754920

III族窒化物半導体発光ダイオード

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 菊地 精一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001043142
Publication number (International publication number)：2002246645
Application date： Feb. 20, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：
【要約】【課題】 Si単結晶を基板とするIII族窒化物半導体LEDにあって、機械的強度を失うことなくLEDよりSi基板を除去して、発光がSi基板に吸収される度合いを低減した高輝度のSi基板系III族窒化物半導体LEDの提供。【解決手段】 導電性の珪素(Si)単結晶基板の表面上に、金属或いは半導体からなる中間層を介して積層された、III族窒化物半導体から構成されるpn接合型ヘテロ接合構造の発光部を少なくとも含み、該単結晶基板の裏面に裏面電極と、表面側の発光部上に表面電極とを備え、かつ上記単結晶基板裏面の裏面電極以外の領域のSi単結晶基板を除去して形成した穿孔部が設けられているIII族窒化物半導体発光ダイオード。
Claim (excerpt)：
導電性の珪素(Si)単結晶基板の表面上に、金属或いは半導体からなる中間層を介して積層された、III族窒化物半導体から構成されるpn接合型ヘテロ接合構造の発光部を少なくとも含み、該単結晶基板の裏面に裏面電極と、表面側の発光部上に表面電極とを備え、かつ上記単結晶基板裏面の裏面電極以外の領域のSi単結晶基板を除去して形成した穿孔部が設けられていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光ダイオード。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
F-Term (24)：
5F041AA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA81 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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