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J-GLOBAL ID：200903067348287489

強誘電体薄膜素子の製造方法及び加熱処理装置

Inventor：
村井 正己

About 村井 正己


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000173609
Publication number (International publication number)：2001203404
Application date： Jun. 09, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 優れた結晶性を有し、膜厚方向に均一に結晶配向した強誘電体薄膜素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を下部電極上に形成する工程と、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜を成膜する工程とを備え、前記熱処理の際に、前記下部電極側から加熱する。強誘電体薄膜の結晶化は下部電極に影響を受けて進行するとともに、下部電極側からの加熱によって結晶成長が下部電極側から始まって薄膜上部に至るので、結晶性が良好となる。
Claim (excerpt)：
強誘電体を構成する金属元素及び酸素元素を含む非晶質膜を下部電極上に形成する工程と、当該非晶質膜を熱処理することで結晶化した強誘電体薄膜を成膜する工程とを備え、前記熱処理の際に、前記下部電極側から加熱することを特徴とする強誘電体薄膜素子の製造方法。
IPC (8)：
H01L 41/22 ,  B41J 2/16 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (8)：
H01L 41/22 Z ,  B41J 3/04 103 H ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/22 A
F-Term (17)：
2C057AF93 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AP54 ,  2C057AP56 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14 ,  5F083FR02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083PR34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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