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J-GLOBAL ID:200903067508033055
サイドゲート型有機FET及び有機EL
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小林 良平 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002086669
Publication number (International publication number):2003282884
Application date: Mar. 26, 2002
Publication date: Oct. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 移動度の遅い有機半導体アモルファス薄膜を用いても実用に堪えうる有機FETを提供する。また、周辺のトランジスタが不要であり、且つ、大きな開口率をとることのできる有機EL素子を提供する。【解決手段】 サイドゲート型有機FETとする。すなわち、基板11上にゲート電極12を立設し、同じく基板上に有機半導体から成るキャリヤ移動層14を積層する。キャリヤ移動層14は、絶縁膜13を介してゲート電極12に接するようにする。そして、キャリヤ移動層14の上下にソース電極層15とドレイン電極層16を積層する。また、有機ELは、基板上に2つの制御電極を立設し、同じく基板上に、有機半導体発光層を積層して、絶縁層を介して両制御電極に接するようにする。発光層の上下には注入電極層を積層する。両制御電極に異なる極性の電圧を印加することにより、正孔及びキャリヤが発光層内で再結合し、発光が生ずる。
Claim (excerpt):
a)基板上に立設されたゲート電極と、b)絶縁膜を介して上記ゲート電極に接するように配置された、有機半導体から成るキャリヤ移動層と、c)上記キャリヤ移動層の上下に配置された、ソース電極層とドレイン電極層と、を備えることを特徴とするサイドゲート型有機FET。
IPC (3):
H01L 29/786
, H01L 51/00
, H05B 33/14
FI (4):
H05B 33/14 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/28
, H01L 29/78 626 A
F-Term (20):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007DB03
, 5F110AA07
, 5F110BB01
, 5F110CC09
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE08
, 5F110EE09
, 5F110EE27
, 5F110EE30
, 5F110FF22
, 5F110GG05
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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有機半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-007714
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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垂直薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ液晶表示素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-368532
Applicant:現代電子産業株式会社
-
TFTマトリックスパネル、および、これを用いた画像表示装置、光電変換装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-142010
Applicant:キヤノン株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-303217
Applicant:株式会社リコー
-
特公昭43-026823
-
発光装置、表示装置および電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-070149
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
有機電界発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-320948
Applicant:三洋電機株式会社
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