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J-GLOBAL ID：200903067552986086

半導体光増幅器および光集積回路

Inventor：
田中 信介

About 田中 信介

, 
森戸 健

About 森戸 健


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005252277
Publication number (International publication number)：2007067222
Application date： Aug. 31, 2005
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：
【課題】 広帯域の利得スペクトルを有する半導体光増幅器、およびこれを用いた光集積回路を提供する。【解決手段】 InP基板11上に量子井戸構造の活性層14を、障壁層14bとして引張歪みを有するInGaAs膜、井戸層14wとして圧縮歪みを有するInGaAs膜を用いて構成する。井戸層14wのバンドギャップを狭くして、井戸層14wの電子の量子準位と障壁層14bの伝導帯の下端との実効的障壁高さΔEcを十分に確保する。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
InP基板と、 前記InP基板上に形成された活性層と、を備え、 前記活性層は、障壁層と井戸層とが交互に積層された量子井戸構造を有し、 前記障壁層が引張歪みを有するInGaAs膜からなり、前記井戸層が圧縮歪みを有するInGaAs膜からなる半導体光増幅器。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/026
FI (2)：
H01S5/343 ,  H01S5/026 610
F-Term (14)：
5F173AA26 ,  5F173AD02 ,  5F173AD19 ,  5F173AF05 ,  5F173AF15 ,  5F173AG22 ,  5F173AG24 ,  5F173AH02 ,  5F173AH47 ,  5F173AP05 ,  5F173AP78 ,  5F173AR26 ,  5F173AR45 ,  5F173AS01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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